Poly-Si gate的刻蚀应采用什么特性和什么方法的刻蚀？（）

在STI工艺中，缓冲氧化层和氮化硅采用工艺技术正确的是（）。A.氮化硅用常压CVD工艺B.氧化层用CVD工艺C...

多项选择题在STI工艺中，缓冲氧化层和氮化硅采用工艺技术正确的是（）。

1990’s CMOS IC 工艺技术特征是（）。A.浅槽隔离工艺B.铝栅工艺C.多晶硅栅工艺D.硅外延片衬底

多项选择题1990’s CMOS IC 工艺技术特征是（）。

‌Stepper的优点有（）。A.光刻版的精度和良率高B.可分步重复曝光C.减小了尘埃的影响D.套刻精度高

多项选择题‌Stepper的优点有（）。