单项选择题
A.抛物线B.双曲线C.e指数D.线性
关于施主掺杂，下列说法不正确的是（）A.施主杂质电离后，可以为半导体提供导电电子B.施主杂质电离后，电离中心带...
单项选择题关于施主掺杂，下列说法不正确的是（）
A.施主杂质电离后，可以为半导体提供导电电子B.施主杂质电离后，电离中心带正电C.施主杂质是一种间隙式杂质D.单一施主掺杂后的半导体为n型半导体
以下关于半导体能带特征描述正确的是（）A.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体B.室温下，锗...
单项选择题以下关于半导体能带特征描述正确的是（）
A.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体B.室温下，锗的禁带宽度约为0.67eV，是直接带隙半导体C.室温下，砷化镓的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体D.室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是间接带隙半导体
布洛赫定理是描述（）中电子的运动行为。A.晶体B.非晶体C.气体D.玻璃体
单项选择题布洛赫定理是描述（）中电子的运动行为。
A.晶体B.非晶体C.气体D.玻璃体
