单项选择题
A.由于外加电压的变化引起的基区宽度变化的现象B.基区宽度随着掺杂浓度增大而加宽的现象C.基区厚度对发射结和集电结的影响的现象D.基区厚度会变化的现象
发射结的发射效率的涵义是（）。A.发射结的发射功率B.基区电流与发射区电流之比C.发射极电流与发射区电流之比D...
单项选择题发射结的发射效率的涵义是（）。
A.发射结的发射功率B.基区电流与发射区电流之比C.发射极电流与发射区电流之比D.注入基区的电子电流与发射极总电流之比
硅基pn结的正向导通电压大概数值是（）。A.0.1VB.0.9VC.2.5vD.0.5V
单项选择题硅基pn结的正向导通电压大概数值是（）。
A.0.1VB.0.9VC.2.5vD.0.5V
pn结正向偏置时，空间电荷区宽度（）。A.变窄B.不变C.变宽D.消失
单项选择题pn结正向偏置时，空间电荷区宽度（）。
A.变窄B.不变C.变宽D.消失
