Metal slab中的金属Ti是为了形成金属硅化物降低接触电阻。

扩散的低压工艺有多晶、氮化硅和TEOS。

判断题扩散的低压工艺有多晶、氮化硅和TEOS。

LPCVD多晶的反应气体是二氯二氢硅。

判断题LPCVD多晶的反应气体是二氯二氢硅。

氮化硅去除使用的是磷酸药液。

判断题氮化硅去除使用的是磷酸药液。