问答题
浅槽隔离(STI)是在衬底制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺。 取代了局域氧化工艺(LOCOS)
离子注入后进行退火工艺的原因是什么?
问答题离子注入后进行退火工艺的原因是什么?
刻蚀工艺的目的是什么,这个区中最常用的设备是什么?
问答题刻蚀工艺的目的是什么,这个区中最常用的设备是什么?
简述有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域。
问答题简述有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域。