由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方...

单项选择题刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。

在半导体制造中，熔断丝可以应用在（）。A.MOS栅极B.保护性元件C.电容器极板D.制造只读存储器PROME....

多项选择题在半导体制造中，熔断丝可以应用在（）。

铜与铝相比较，其性质有（）。A.铜的电阻率比铝小B.铝的熔点较高C.铝的抗电迁移能力较弱D.铜与硅的接触电阻较...

多项选择题铜与铝相比较，其性质有（）。