多项选择题
A.方便安装B.防止石墨坩埚被膨胀的石英坩埚撑破C.吸收剩余的熔硅凝固时体积增大而造成的应力，从而减少漏硅的危险D.降低成本
Dash工艺主要解决的是（）A.热应力B.减少缺陷（位错）C.加入转晶D.放肩
单项选择题Dash工艺主要解决的是（）
A.热应力 B.减少缺陷（位错） C.加入转晶 D.放肩
占据晶格间隙位置的杂质原子为（）A.原生长缺陷B.替位杂质原子C.本征点缺陷D.间隙杂质原子
单项选择题占据晶格间隙位置的杂质原子为（）
A.原生长缺陷 B.替位杂质原子 C.本征点缺陷 D.间隙杂质原子
CZ法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及（）A.缩颈生长、等径生长、放肩生长、尾部生长B.缩颈生长、放肩生长、...
单项选择题CZ法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及（）
A.缩颈生长、等径生长、放肩生长、尾部生长B.缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长C.等径生长、缩颈生长、放肩生长、尾部生长D.放肩生长、缩颈生长、等径生长、尾部生长
