热扩散掺杂工艺可以一步实现。

把硅片对离子注入的方向倾斜30度可抑制通道效应。

判断题把硅片对离子注入的方向倾斜30度可抑制通道效应。

使用化学腐蚀法检查针孔时，硅表面的腐蚀坑数目就是二氧化硅的针孔数目。

判断题使用化学腐蚀法检查针孔时，硅表面的腐蚀坑数目就是二氧化硅的针孔数目。

金属化是指根据电路设计要求，把硅片上制成各种晶体管.二极管等元器件用金属薄膜固定的方式。

判断题金属化是指根据电路设计要求，把硅片上制成各种晶体管.二极管等元器件用金属薄膜固定的方式。