单项选择题
A.温度B.厚度C.硅晶向D.掺杂
集成电路制造工艺中，以下不是热氧化方法的是（）。A.干氧氧化B.湿氧氧化C.离子氧化D.水蒸汽氧化
单项选择题集成电路制造工艺中，以下不是热氧化方法的是（）。
A.干氧氧化B.湿氧氧化C.离子氧化D.水蒸汽氧化
集成电路制造工艺中，二氧化硅膜不能用于（）。A.元器件的组成部分（如栅氧化层）B.源漏极C.互连层间绝缘介质...
单项选择题集成电路制造工艺中，二氧化硅膜不能用于（）。
A.元器件的组成部分（如栅氧化层）B.源漏极C.互连层间绝缘介质D.作为掩蔽膜
以下对集成电路版图设计中几何设计规则描述不正确的是（）。A.几何设计规则是版图图形编辑的依据B.几何设计规则...
单项选择题以下对集成电路版图设计中几何设计规则描述不正确的是（）。
A.几何设计规则是版图图形编辑的依据B.几何设计规则是设计系统生成版图的依据C.几何设计规则是分析计算的依据D.几何设计规则是检查版图错误的依据
