计算题 T=300K，n型硅衬底杂质浓度为N_D=5×10¹⁵cm^-3，计算金属铝-硅肖特基接触平衡态的反向电流J_sT、正偏电压为5V时的电流。计算中取理查森常数A^*=264Acm^-2·K^-2。

T=300K，n型硅衬底杂质浓度为ND=1016cm-3，计算肖特基势垒高度ΦB0、半导体侧的接触电势差Vbi...

问答题T=300K，n型硅衬底杂质浓度为N_D=10¹⁶cm^-3，计算肖特基势垒高度Φ_B0、半导体侧的接触电势差V_bi、空间电荷区厚度W。

在NA=1015cm-3的p型硅衬底上，氧化层厚度为70nm，SiO2层等效电荷面密度为3×1011cm-2，...

问答题在N_A=10¹⁵cm^-3的p型硅<111>衬底上，氧化层厚度为70nm，SiO₂层等效电荷面密度为3×10¹¹cm^-2，计算MOSFET的阈值电压。

已知n沟道MOSFET的沟道长度L=10μm，沟道宽度W=400μm，栅氧化层厚度tax=150nm，阈值电压...

问答题已知n沟道MOSFET的沟道长度L=10μm，沟道宽度W=400μm，栅氧化层厚度t_ax=150nm，阈值电压V_T=3V，衬底杂质浓度N_A=9×10¹⁴cm^-3，求栅极电压等于7V时的漏源饱和电流。在此条件下，V_DS等于几伏时漏端沟道开始夹断？计算中取μ_n=600cm²/（V·s）。