单项选择题
A.势垒电容可用平板电容等效，而扩散电容则不能B.势垒电容和扩散电容都可用平板电容等效C.势垒电容和扩散电容都不能用平板电容等效D.扩散电容可用平板电容等效，而势垒电容则不能
Si的pn结，室温附近温度每升高（）度，反偏漏电流增加一倍。A.十几B.五十几C.二十几
单项选择题Si的pn结，室温附近温度每升高（）度，反偏漏电流增加一倍。
A.十几B.五十几C.二十几
一维情况下以突变pn结冶金学界面处为x轴的零点，计算室温下平衡硅pn结中导带底比n区电中性区高0.1eV的位置...
单项选择题一维情况下以突变pn结冶金学界面处为x轴的零点，计算室温下平衡硅pn结中导带底比n区电中性区高0.1eV的位置与耗尽区在n区边界xn间的距离（p区：Na=1E18cm-3，n区：Nd=1E16cm-3，εr=11.9）：（）
A.1.0umB.0.1umC.0.01umD.0.5um
Si器件中，典型的少子扩散长度的数量级在（）。A.厘米B.纳米C.毫米D.微米
单项选择题Si器件中，典型的少子扩散长度的数量级在（）。
A.厘米B.纳米C.毫米D.微米
