单项选择题
A.复合机构 B.散射机构 C.禁带宽度 D.晶体结构
空间实验室中失重状态下生长的GaAs与地面生长的GaAs相比，载流子迁移率要高，这是因为（）A.无杂质污染B....
单项选择题空间实验室中失重状态下生长的GaAs与地面生长的GaAs相比，载流子迁移率要高，这是因为（）
A.无杂质污染 B.晶体生长更完整 C.化学配比更合理 D.宇宙射线的照射作用
下面说法正确的是（）A.空穴是一种真实存在的微观粒子B.MIS结构电容可等效为绝缘层电容与半导体表面电容的的并...
单项选择题下面说法正确的是（）
A.空穴是一种真实存在的微观粒子 B.MIS结构电容可等效为绝缘层电容与半导体表面电容的的并联 C.稳态和热平衡态的物理含义是一样的 D.同一种半导体材料中，电子迁移率比空穴迁移率高
关于半导体及导带电子等，下面说法错误的是（）A.若半导体导带中发现电子的几率为0，则该半导体必定处于绝对零度B...
单项选择题关于半导体及导带电子等，下面说法错误的是（）
A.若半导体导带中发现电子的几率为0，则该半导体必定处于绝对零度 B.计算简并半导体载流子浓度时不能用波尔兹曼统计代替费米统计 C.处于低温弱电离区的半导体，其迁移率和电导率都随温度升高而增大 D.半导体中，导带电子都处于导带底Ec能级位置
