单项选择题
A.空穴是一种真实存在的微观粒子 B.MIS结构电容可等效为绝缘层电容与半导体表面电容的的并联 C.稳态和热平衡态的物理含义是一样的 D.同一种半导体材料中，电子迁移率比空穴迁移率高
关于半导体及导带电子等，下面说法错误的是（）A.若半导体导带中发现电子的几率为0，则该半导体必定处于绝对零度B...
单项选择题关于半导体及导带电子等，下面说法错误的是（）
A.若半导体导带中发现电子的几率为0，则该半导体必定处于绝对零度 B.计算简并半导体载流子浓度时不能用波尔兹曼统计代替费米统计 C.处于低温弱电离区的半导体，其迁移率和电导率都随温度升高而增大 D.半导体中，导带电子都处于导带底Ec能级位置
如果对半导体进行重掺杂，会出现的现象是（）A.禁带变宽B.少子迁移率增大C.多子浓度减小D.简并化
单项选择题如果对半导体进行重掺杂，会出现的现象是（）
A.禁带变宽 B.少子迁移率增大 C.多子浓度减小 D.简并化
在本征半导体中进行有意掺杂各种元素，可改变材料的电学性能。请解释什么是浅能级杂质、深能级杂质，它们分别影响半导...
问答题在本征半导体中进行有意掺杂各种元素，可改变材料的电学性能。请解释什么是浅能级杂质、深能级杂质，它们分别影响半导体哪些主要性质；什么是杂质补偿？杂质补偿的意义何在？
