多项选择题
A.被氧化了44微米的硅B.被氧化了56微米的硅C.剩余的硅与生成的二氧化硅总的厚度和为144微米D.剩余的硅与生成的二氧化硅总的厚度和为156微米
以下哪些工艺会消耗硅片自身的硅（）A.热氧化B.掺氯氧化C.干氧氧化D.化学沉积
多项选择题以下哪些工艺会消耗硅片自身的硅（）
A.热氧化B.掺氯氧化C.干氧氧化D.化学沉积
二氧化硅的作用有（）A.作为器件的保护层和钝化层B.掺杂掩蔽膜C.隔离D.元器件的组成部分
多项选择题二氧化硅的作用有（）
A.作为器件的保护层和钝化层B.掺杂掩蔽膜C.隔离D.元器件的组成部分
热氧化获得的二氧化硅的特点是（）A.晶体B.非晶体C.难溶于水D.能用HF腐蚀
多项选择题热氧化获得的二氧化硅的特点是（）
A.晶体B.非晶体C.难溶于水D.能用HF腐蚀
