单项选择题
A、4.43 B、6.5 C、6 D、31.5
对副载波陷波电路的要求为：吸收深度大于（）dB、吸收带宽为150—250kHz。A、15B、20C、5D、10
单项选择题对副载波陷波电路的要求为：吸收深度大于（）dB、吸收带宽为150—250kHz。
A、15 B、20 C、5 D、10
混频电路的核心是（）器件。A、线性B、非线性C、温度补偿D、稳压
单项选择题混频电路的核心是（）器件。
A、线性 B、非线性 C、温度补偿 D、稳压
图像中频是（）MHz。A、38B、31.5C、6.5D、4.43
单项选择题图像中频是（）MHz。
A、38 B、31.5 C、6.5 D、4.43
