单项选择题
A.功函数为3.5eV的半导体B.功函数为3eV的半导体C.功函数为4eV的半导体D.功函数为4.2eV的半导体
室温下,下列哪个硅半导体的功函数最大()A.硼掺杂浓度为1015cm-3B.磷掺杂浓度为1016cm-3C.纯...
单项选择题室温下,下列哪个硅半导体的功函数最大()
A.硼掺杂浓度为1015cm-3B.磷掺杂浓度为1016cm-3C.纯净硅D.硼掺杂浓度为1015cm-3,磷掺杂浓度为1016cm-3
pn结雪崩击穿的的机理是()A.热击穿B.隧道击穿C.齐纳击穿D.载流子的倍增效应
单项选择题pn结雪崩击穿的的机理是()
A.热击穿B.隧道击穿C.齐纳击穿D.载流子的倍增效应
实际处于反偏状态下的pn结,其载流子的产生率与复合率之间的关系为()A.产生率等于复合率B.产生率小于复合率C...
单项选择题实际处于反偏状态下的pn结,其载流子的产生率与复合率之间的关系为()
A.产生率等于复合率B.产生率小于复合率C.产生率大于复合率D.存在净复合率