判断题
错误
在热氧化过程的初始阶段,二氧化硅的生长速率由氧化剂通过二氧化硅层的扩散速率决定,处于线性氧化阶段。
判断题在热氧化过程的初始阶段,二氧化硅的生长速率由氧化剂通过二氧化硅层的扩散速率决定,处于线性氧化阶段。
用来制造MOS器件最常用的是(100)面的硅片,这是因为(100)面的表面状态更有利于控制MOS器件开态和关态...
判断题用来制造MOS器件最常用的是(100)面的硅片,这是因为(100)面的表面状态更有利于控制MOS器件开态和关态所要求的阈值电压。
列出几种常见封装的名称。
问答题列出几种常见封装的名称。