多项选择题
A.电阻低 B.抗电迁移特性好 C.对硅氧化物有很好的黏合性 D.有很高的纯度 E.易于光刻
下列材料中电阻率最低的是（）。A.铝B.铜C.多晶硅D.金
单项选择题下列材料中电阻率最低的是（）。
A.铝 B.铜 C.多晶硅 D.金
在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。A.晶圆顶层的保护层B.多层金属的介质层C.多晶硅与金...
多项选择题在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。
A.晶圆顶层的保护层 B.多层金属的介质层 C.多晶硅与金属之间的绝缘层 D.掺杂阻挡层 E.晶圆片上器件之间的隔离
在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。A.使薄膜的介电常数变大B.可能引入杂质C.可...
多项选择题在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。
A.使薄膜的介电常数变大 B.可能引入杂质 C.可能使薄膜层间短路 D.使薄膜介电常数变小 E.可能使薄膜厚度增加
