多项选择题
A.晶圆顶层的保护层 B.多层金属的介质层 C.多晶硅与金属之间的绝缘层 D.掺杂阻挡层 E.晶圆片上器件之间的隔离
在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。A.使薄膜的介电常数变大B.可能引入杂质C.可...
多项选择题在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。
A.使薄膜的介电常数变大 B.可能引入杂质 C.可能使薄膜层间短路 D.使薄膜介电常数变小 E.可能使薄膜厚度增加
在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。A.均匀性B.表面平整度C.自由应力D.纯净度E.电容
多项选择题在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。
A.均匀性 B.表面平整度 C.自由应力 D.纯净度 E.电容
为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染，可在靶室前增加一个（）或采用无油泵。A.液氮冷阱B.净化阱C.抽气阱D...
单项选择题为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染，可在靶室前增加一个（）或采用无油泵。
A.液氮冷阱 B.净化阱 C.抽气阱 D.无气泵
