单项选择题
A.整流电路B.滤波电路C.PWM驱动电路D.变频电路
由于电力MOSFET靠多子导电，不存在少子储存效应，因此其开关过程非常迅速。
判断题由于电力MOSFET靠多子导电，不存在少子储存效应，因此其开关过程非常迅速。
对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较正确的是（）A.IGBT的开关速度低于电力MOSFE...
多项选择题对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较正确的是（）
A.IGBT的开关速度低于电力MOSFET，电压，电流容量不及GTOB.GTR的开关速度高，驱动电路复杂，存在二次击穿问题C.GTO的电压、电流容量大，但其关断增益也很大D.电力MOSFET的开关速度最快，但驱动电路比较复杂
下列不属于交流电力电子开关特点的是（）A.响应速度快B.无触点C.损耗低D.寿命长
单项选择题下列不属于交流电力电子开关特点的是（）
A.响应速度快B.无触点C.损耗低D.寿命长
