填空题
混合;全电扫描
离子注入机的对Si衬底作P型掺杂的源气常用(),N型掺杂的源气常用()和()。对GaAs做N型掺杂的源气常用(...
填空题离子注入机的对Si衬底作P型掺杂的源气常用(),N型掺杂的源气常用()和()。对GaAs做N型掺杂的源气常用()
()称为沟道效应,可以用()、()和()来避免。其中,()是最常用的方法。
填空题()称为沟道效应,可以用()、()和()来避免。其中,()是最常用的方法。
注入离子的射程主要由()决定。确定注入离子分布的主要参数是()及其()。注入离子分布的一级近似为()。可写成: