N型Si中，导电电子主要分布在（）。

Ga替位掺入Ge中，其将成为（）。A.中性杂质B.受主C.施主D.两性杂质

单项选择题Ga替位掺入Ge中，其将成为（）。

随温度升高，Si的禁带宽度（）。A.增加B.减小C.不清楚D.不变

单项选择题随温度升高，Si的禁带宽度（）。

室温下Ge晶体的导带底由（）个旋转椭球构成。A.6B.8C.4D.2

单项选择题室温下Ge晶体的导带底由（）个旋转椭球构成。