问答题
当MOS工艺发展到亚微米、深亚微米水平后，必须考虑二阶效应。这时，随着沟道长度L的减小，阈值电压将减小；随着沟道宽度W的......
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什么是MOSFET的阈值电压，它受哪些因素影响？
问答题什么是MOSFET的阈值电压，它受哪些因素影响？
已知突变PN结零偏势垒电容为3pF，内建势垒电压为0.5V，计算10V反偏电压时的势垒电容。
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与CMOS工艺相比，GaAs工艺有什么主要特点？
问答题与CMOS工艺相比，GaAs工艺有什么主要特点？
