多项选择题
A.埋层 B.外延 C.PN结 D.扩散电阻 E.隔离区
扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。A.内部的杂质分布B.表面...
多项选择题扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。
A.内部的杂质分布 B.表面的杂质分布 C.整个晶体的杂质分布 D.内部的导电类型 E.表面的导电类型
二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。A.比色法B.双光干涉法C.椭圆偏振光法D.腐蚀法E.电容-电压法
多项选择题二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。
A.比色法 B.双光干涉法 C.椭圆偏振光法 D.腐蚀法 E.电容-电压法
二氧化硅膜的质量要求有（）。A.薄膜表面无斑点B.薄膜中的带电离子含量符合要求C.薄膜表面无针孔D.薄膜的厚度...
多项选择题二氧化硅膜的质量要求有（）。
A.薄膜表面无斑点 B.薄膜中的带电离子含量符合要求 C.薄膜表面无针孔 D.薄膜的厚度达到规定指标 E.薄膜厚度均匀，结构致密
