单项选择题
A.光刻B.刻蚀C.掺杂D.外延
等离子的英文表达为（）A.etchB.ionC.plasmaD.wet
单项选择题等离子的英文表达为（）
A.etchB.ionC.plasmaD.wet
通过监控某一特定谱峰或波长，在预期的刻蚀终点可探测到对应的数据的方法是（）A.发射光谱法B.干涉测量法C.质量...
单项选择题通过监控某一特定谱峰或波长，在预期的刻蚀终点可探测到对应的数据的方法是（）
A.发射光谱法B.干涉测量法C.质量分析法D.椭圆偏振法
反应离子刻蚀的过程简单来说是（）A.电离→解吸、排放→轰击→扩散、反应B.轰击→电离→扩散、反应→解吸、排放C...
单项选择题反应离子刻蚀的过程简单来说是（）
A.电离→解吸、排放→轰击→扩散、反应B.轰击→电离→扩散、反应→解吸、排放C.电离→扩散、反应→轰击→解吸、排放D.电离→轰击→扩散、反应→解吸、排放
