单项选择题
A.电离→解吸、排放→轰击→扩散、反应B.轰击→电离→扩散、反应→解吸、排放C.电离→扩散、反应→轰击→解吸、排放D.电离→轰击→扩散、反应→解吸、排放
金属钨在集成电路中通常用于（）A.填充塞B.金属连线C.阻挡层D.焊接层
单项选择题金属钨在集成电路中通常用于（）
A.填充塞B.金属连线C.阻挡层D.焊接层
铜电镀之前，需要沿着侧壁和底部，淀积一层连续的薄种子层，若种子层不连续可能导致电镀的铜产生（）A.空洞B.尖刺...
单项选择题铜电镀之前，需要沿着侧壁和底部，淀积一层连续的薄种子层，若种子层不连续可能导致电镀的铜产生（）
A.空洞B.尖刺C.电迁移D.肖特基现象
利用高能粒子撞击具有高纯度靶材料表面，撞击出的原子最后淀积在硅片上的物理过程是（）A.电阻加热蒸发B.电子束蒸...
单项选择题利用高能粒子撞击具有高纯度靶材料表面，撞击出的原子最后淀积在硅片上的物理过程是（）
A.电阻加热蒸发B.电子束蒸发C.溅射D.电镀
