单项选择题
A.多子漂移电流B.少子扩散电流C.多子扩散电流D.复合-产生电流
反向偏置的PN结，靠近耗尽层边界的中性区内会发生（）过程。A.产生和漂移B.漂移和扩散C.扩散和复合D.产生...
单项选择题反向偏置的PN结，靠近耗尽层边界的中性区内会发生（）过程。
A.产生和漂移B.漂移和扩散C.扩散和复合D.产生和扩散
PN结中冶金结的含义是（）。A.势垒层B.界面C.空间电荷区D.耗尽层
单项选择题PN结中冶金结的含义是（）。
A.势垒层B.界面C.空间电荷区D.耗尽层
以下哪些措施可以缓解MOSFET阈电压的短沟道效应？（）A.增加源漏结深B.减小衬底掺杂浓度C.减小氧化层厚...
单项选择题以下哪些措施可以缓解MOSFET阈电压的短沟道效应？（）
A.增加源漏结深B.减小衬底掺杂浓度C.减小氧化层厚度D.减小沟道长度
