关于价带中的空穴，以下描述正确的是（）

A.两种不同的半导体薄层周期性地重叠，若窄带材料（势阱）的厚度很小，可以和电子的德布罗意波长相比，而宽带材料（势垒）的厚度较大，称这种结构为超晶格结构
B.双异质结形成的结构，如AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs结构
C.能够对电子（空穴）的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场就是超晶格结构
D.两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠，每层材料（势阱和势垒）的厚度都很薄，都可以和电子的德布罗意波长相比，称这种结构为超晶格结构

A.金属和n型半导体接触，形成电子阻挡层，即为欧姆接触
B.金属和p型半导体接触，形成空穴阻挡层，即为欧姆接触
C.金属和重掺杂的半导体接触，使得半导体一侧的势垒很薄，电子的输运主要以隧道效应为主，形成欧姆接触
D.金属和n型半导体接触，形成电子反阻挡层，即为欧姆接触

A.复合中心是浅能级杂质
B.复合中心能级在禁带中线附近时，最有利于复合
C.复合中心能级在费米能级附近时，最有利于复合
D.复合中心的存在延长了少子的寿命