单项选择题
A.热空气对流法 B.真空热平板传导法 C.红外线辐射法 D.射频感应加热法
涂胶以后的晶片，需要在一定的温度下进行烘烤，这一步骤称为（）。A.后烘B.去水烘烤C.软烤D.烘烤
单项选择题涂胶以后的晶片，需要在一定的温度下进行烘烤，这一步骤称为（）。
A.后烘 B.去水烘烤 C.软烤 D.烘烤
涂胶之前，要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行，下列操作正确的是（）。A.进行去水烘烤以保证晶片干燥B.在晶...
多项选择题涂胶之前，要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行，下列操作正确的是（）。
A.进行去水烘烤以保证晶片干燥 B.在晶片表面涂上增粘剂以保证晶片黏附性好 C.刚刚处理好的晶片应立即涂胶 D.贮存的晶片在涂胶前必须再次清洗及干燥 E.也可以直接使用贮存的晶片
光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。A.150－200℃B.200℃左右C.250℃左右D.300℃左右
单项选择题光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。
A.150－200℃ B.200℃左右 C.250℃左右 D.300℃左右
