多项选择题
A.进行去水烘烤以保证晶片干燥 B.在晶片表面涂上增粘剂以保证晶片黏附性好 C.刚刚处理好的晶片应立即涂胶 D.贮存的晶片在涂胶前必须再次清洗及干燥 E.也可以直接使用贮存的晶片
光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。A.150－200℃B.200℃左右C.250℃左右D.300℃左右
单项选择题光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。
A.150－200℃ B.200℃左右 C.250℃左右 D.300℃左右
在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。A.CA光刻胶对深紫外光吸收小B.CA光刻胶将吸收的光子...
多项选择题在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。
A.CA光刻胶对深紫外光吸收小 B.CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化 C.CA光刻胶在显影液中的可溶性强 D.有较高的光敏度 E.有较高的对比度
在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。A.DQNB.CAC.ARCD.PMMA
单项选择题在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。
A.DQN B.CA C.ARC D.PMMA
