问答题
最初只知道一个特殊的硅器件掺杂是用离子注入方法制备的，后经过测量得知： 表面杂质浓度为4×1013cm-3，峰...
问答题最初只知道一个特殊的硅器件掺杂是用离子注入方法制备的，后经过测量得知： 表面杂质浓度为4×1013cm-3，峰值在1800Å深处，峰值浓度为5×1017cm-3。假定离子注入服从对称高斯分布，你能估计出它的注入剂量是多少吗？
假设某项化学气相淀积工艺受反应速率控制，在700 ℃和800 ℃时的淀积速率分别为500Å/min和2000Å...
假设某项化学气相淀积工艺受反应速率控制，在700 ℃和800 ℃时的淀积速率分别为500Å/min和2000Å/min，请计算在900℃下的淀积速率是多少？实际测量发现900℃下淀积速率远低于计算值，说明什么？怎样证明？（化学气相淀积的反应速率常数）
识别如图所示工艺，写出每个步骤名称并进行描述。
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