为了保证新器件与现有器件兼容，电压不能随意地缩放，所以恒定电场缩小模式不是一种现实可行的选择。热载流子效应和栅氧击穿这样一些物理效应，使恒定（）缩小模式不再被使用。

当晶体管的W值较小时，受窄沟道效应的影响，晶体管的阈值电压（）（填“升高”或“降低”）。

填空题当晶体管的W值较小时，受窄沟道效应的影响，晶体管的阈值电压（）（填“升高”或“降低”）。

随着MOS器件尺寸的缩小，源端和反向偏置的漏端结的耗尽区对器件的影响变得重要。由于在栅下的一部分区域已被耗尽，...

填空题随着MOS器件尺寸的缩小，源端和反向偏置的漏端结的耗尽区对器件的影响变得重要。由于在栅下的一部分区域已被耗尽，导致器件的阈值电压（）。（填“升高”或“降低”）

假设在PN结上加上一个电压，使p区的电势相对于n区升高，其表现出来的结果是电流从p区向n区流过二极管，此时二极...

填空题假设在PN结上加上一个电压，使p区的电势相对于n区升高，其表现出来的结果是电流从p区向n区流过二极管，此时二极管处于（）（填“正”或“反”）偏置状态。