​对于硅半导体，当施主杂质能级与费米能级重合时，则未电离施主杂质与已电离施主杂质的比值为（）。

‎一块半导体材料，当光照在材料中被均匀吸收且产生非平衡载流子，已知当光照突然停止20微秒时，其中非平衡载流子衰...

填空题‎一块半导体材料，当光照在材料中被均匀吸收且产生非平衡载流子，已知当光照突然停止20微秒时，其中非平衡载流子衰减至停止前的e^-2倍，则该半导体材料的寿命为（）微秒。

对于掺杂浓度较高的硅、锗半导体，温度很低时，（）散射起主要作用。

填空题对于掺杂浓度较高的硅、锗半导体，温度很低时，（）散射起主要作用。

‏对于由P型半导体构成的理想的MIS结构，当半导体表面少子浓度是体内多子浓度的2倍时，表明此时表面为（）状态。...

单项选择题‏对于由P型半导体构成的理想的MIS结构，当半导体表面少子浓度是体内多子浓度的2倍时，表明此时表面为（）状态。