对于掺杂浓度较高的硅、锗半导体，温度很低时，（）散射起主要作用。

‏对于由P型半导体构成的理想的MIS结构，当半导体表面少子浓度是体内多子浓度的2倍时，表明此时表面为（）状态。...

单项选择题‏对于由P型半导体构成的理想的MIS结构，当半导体表面少子浓度是体内多子浓度的2倍时，表明此时表面为（）状态。

设几种半导体的本征性质相同，在μn＞μp的情况下，则（）半导体电导率将取得最小值。A.n型B.p型C.本征D....

单项选择题设几种半导体的本征性质相同，在μ_n＞μ_p的情况下，则（）半导体电导率将取得最小值。

‌对于硅锗半导体，若其体内某处的电场从1×105V/cm降低至1×103V/cm，则其电子迁移率将（）。A.增...

单项选择题‌对于硅锗半导体，若其体内某处的电场从1×10⁵V/cm降低至1×10³V/cm，则其电子迁移率将（）。