单项选择题
A.该半导体为N型半导体，多子是电子B.该半导体为N型半导体，多子是空穴C.该半导体为P型半导体，多子是电子D.该半导体为P型半导体，多子是空穴
关于硅的晶体结构，以下说法正确的是（）A.硅是闪锌矿结构B.单晶硅中原子排列整齐有序，所以单晶硅不同晶面的性质...
单项选择题关于硅的晶体结构，以下说法正确的是（）
A.硅是闪锌矿结构B.单晶硅中原子排列整齐有序，所以单晶硅不同晶面的性质也是一样的C.多晶硅长程无序，芯片制造中是不会使用多晶硅的D.单晶硅中最常见的晶向是[100]，[110]，[111]
关于半导体中的载流子，以下说法不正确的有（）A.电子会顺着浓度差方向扩散B.空穴会顺着浓度差方向扩散C.电子会...
单项选择题关于半导体中的载流子，以下说法不正确的有（）
A.电子会顺着浓度差方向扩散B.空穴会顺着浓度差方向扩散C.电子会顺着电场方向漂移D.空穴会顺着电场方向漂移
已知硅半导体中每立方厘米掺有1017个硼原子，则：（）A.这是N-SiB.电子浓度为1017cm-3C.该半导...
单项选择题已知硅半导体中每立方厘米掺有1017个硼原子，则：（）
A.这是N-SiB.电子浓度为1017cm-3C.该半导体中空穴为少数载流子D.该半导体的费米能级在禁带中心下方
