电离杂质的散射几率与温度的关系为（）。

高温本征激发区，单一掺杂的n型半导体，其电中性条件可以简化为（）。A.AB.BC.CD.D

单项选择题

高温本征激发区，单一掺杂的n型半导体，其电中性条件可以简化为（）。

对于单一掺杂的n型半导体，其一般的电中性条件是（）。A.AB.BC.CD.D

单项选择题

对于单一掺杂的n型半导体，其一般的电中性条件是（）。

电子占据杂质能级不可能发生的的情况是（）。A.2个电子同时占据1个杂质能级B.1个自旋向上的电子占据1个杂质能...

单项选择题电子占据杂质能级不可能发生的的情况是（）。