在制备完好的单晶衬底上，延其原来晶向，生长一层厚度、导电类型、电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层，该薄膜制备方法是（）

干-湿-干氧化过程中，第一次干氧氧化的目的是（）A.形成所需的二氧化硅膜厚B.获得致密的二氧化硅表面C.提高二...

单项选择题干-湿-干氧化过程中，第一次干氧氧化的目的是（）

薄膜对应的英文是（）A.siliconB.polyC.substrateD.film

单项选择题薄膜对应的英文是（）

Ti、Ta、Al、Cu、Pt对应的物质分别是（）A.钛、钽、铜、铝、铂B.钛、钽、铝、铜、铂C.钛、钽、铝、铜...

单项选择题Ti、Ta、Al、Cu、Pt对应的物质分别是（）