晶体和坩埚旋转严重影响单晶中的（）含量。

氧原子在硅单晶中大部以（）状态存在，碳原子在硅单晶中处于（）状态。

填空题氧原子在硅单晶中大部以（）状态存在，碳原子在硅单晶中处于（）状态。

各种面缺陷的形成都和（）形成有关。

填空题各种面缺陷的形成都和（）形成有关。

单晶尾面脱离熔硅后，由于（）作用往往产生位错，沿滑移面向单晶内部延伸。

填空题单晶尾面脱离熔硅后，由于（）作用往往产生位错，沿滑移面向单晶内部延伸。