单项选择题
A.石油B.天然气C.半导体芯片D.医疗设备
以下可以对SiC进行P型掺杂的元素是（）。A.AlB.NC.PD.B
多项选择题以下可以对SiC进行P型掺杂的元素是（）。
A.AlB.NC.PD.B
以下对于碳化硅性质描述错误的是（）。A.可以用物理气相传输法制备SiC单晶B.C面的氧化速率比Si面高很多C....
单项选择题以下对于碳化硅性质描述错误的是（）。
A.可以用物理气相传输法制备SiC单晶B.C面的氧化速率比Si面高很多C.无论哪种生长方式，6H-SiC都最容易生长D.一般用SiC体单晶或者蓝宝石作为衬底制备SiC薄膜
以下对于氧化锌描述错误的是（）。A.可用气相法或者水热法制备B.是非常稳定的纤锌矿结构，耐高温高压C.P型难...
单项选择题以下对于氧化锌描述错误的是（）。
A.可用气相法或者水热法制备B.是非常稳定的纤锌矿结构，耐高温高压C.P型难得D.本征为高阻半导体
