问答题
NaCl晶体中肖特基缺陷的生成能是指激发1molNaCl到晶体表面,在内部形成1mol成对的Na+......
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实验测得在1300℃时氧化镍的电导率随平衡氧气压力而变化的关系是σ=常数·pO21/6。试根据这一实验结果推断...
填空题实验测得在1300℃时氧化镍的电导率随平衡氧气压力而变化的关系是σ=常数·pO21/6。试根据这一实验结果推断氧化镍是()型半导体。
ZnO加热,表面上发生热分解反应,生成的Zn向晶体内部扩散,生成非整比化合物Zn1+xO,这是()型半导体。N...
填空题ZnO加热,表面上发生热分解反应,生成的Zn向晶体内部扩散,生成非整比化合物Zn1+xO,这是()型半导体。NiO在氧气中反应,晶体变为阴离子过量的NiO1+x,这是()型半导体。
比较锗在下列各种掺杂情况下的电导率的大小。 (1)掺0.1mg/kg的As (2)掺0.1mg/kg的As和0...
比较锗在下列各种掺杂情况下的电导率的大小。 (1)掺0.1mg/kg的As (2)掺0.1mg/kg的As和0.05mg/kg的Al (3)掺0.1mg/kg的As和0.1mg/kg的Al (4)掺1mg/kg的Al