单项选择题
A.涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶 B.涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶 C.涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶 D.前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶
超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。A.高分辨率B.高灵敏度C.精密的套刻对准D.大尺寸E.低缺陷
多项选择题超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。
A.高分辨率 B.高灵敏度 C.精密的套刻对准 D.大尺寸 E.低缺陷
在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。A.刻蚀B.氧化C.淀积D.光刻
单项选择题在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。
A.刻蚀 B.氧化 C.淀积 D.光刻
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。A.4～6hB.50min...
单项选择题在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
A.4～6h B.50min～2h C.10～40min D.5～10min
