​冶金结附近的空间电荷是由p型一侧电子和n型一侧空穴的积累引起的。

‎P沟道的短沟道MOSFET 更容易发生横向双极击穿。

判断题‎P沟道的短沟道MOSFET 更容易发生横向双极击穿。

​MOSFET的沟道夹断总是先于速度饱和发生。

判断题​MOSFET的沟道夹断总是先于速度饱和发生。

当硅表面处的少子浓度达到或大于表面多子浓度时，称表面发生了强反型。

判断题当硅表面处的少子浓度达到或大于表面多子浓度时，称表面发生了强反型。