多项选择题
A.在低温弱电离区，n型半导体中费米能级位于导带底和杂质能级之间B.强电离区的温度范围高于过渡区的温度范围C.在强电离区，n型半导体中电子浓度近似等于杂质浓度，且不随温度发生变化D.在计算过渡区内半导体的载流子浓度时无需考虑本征载流子的影响
下列关于杂质半导体的描述有误的是（）。A.杂质半导体中杂质浓度大于本征载流子浓度B.杂质能级上可以容纳两个自旋...
多项选择题下列关于杂质半导体的描述有误的是（）。
A.杂质半导体中杂质浓度大于本征载流子浓度B.杂质能级上可以容纳两个自旋相反的电子C.杂质能级上电子的占据几率可以用标准的费米分布函数来描述D.n型半导体中的载流子浓度等于杂质能级上电子的浓度
半导体中的电中性条件是（）。A.B.C.D.
单项选择题半导体中的电中性条件是（）。
A.B.C.D.
如果要提高半导体器件的工作温度，可以对制作器件的半导体材料做如下处理（）。A.增加掺杂浓度B.降低掺杂浓度C....
多项选择题如果要提高半导体器件的工作温度，可以对制作器件的半导体材料做如下处理（）。
A.增加掺杂浓度B.降低掺杂浓度C.采用禁带宽度大的半导体材料D.采用禁带宽度小的半导体材料
