单项选择题
A.金刚石型和直接禁带型 B.闪锌矿型和直接禁带型 C.金刚石型和间接禁带型 D.闪锌矿型和间接禁带型
不考虑表面态的影响，如需在n型硅上做欧姆电极，以下四种金属中最适合的是（）。A.In（Wm=3.8eV）B.C...
单项选择题不考虑表面态的影响，如需在n型硅上做欧姆电极，以下四种金属中最适合的是（）。
A.In（Wm=3.8eV） B.Cr（Wm=4.6eV） C.Au（Wm=4.8eV） D.Al（Wm=4.2eV）
金属-SiO2-p型Si构成的MIS结构中，SiO2中分布的可动正电荷不会影响（）。A.半导体表面势B.平带电...
单项选择题金属-SiO2-p型Si构成的MIS结构中，SiO2中分布的可动正电荷不会影响（）。
A.半导体表面势 B.平带电压 C.平带电容 D.器件的稳定性
GaAs具有微分负电导现象，原因在于在强电场作用下，（）A.载流子发生能谷间散射B.载流子迁移率增大C.载流子...
单项选择题GaAs具有微分负电导现象，原因在于在强电场作用下，（）
A.载流子发生能谷间散射 B.载流子迁移率增大 C.载流子寿命变大 D.载流子浓度变小
