简答题 简述1990年代CMOS工艺技术特征：特征尺寸、晶圆尺寸、衬底、隔离、源漏、栅极材料、光刻光源、曝光方式（光刻机）、刻蚀、互连材料及方式等。

简述CMOS双阱工艺，画出标准埋层双极工艺流程示意图。

问答题简述CMOS双阱工艺，画出标准埋层双极工艺流程示意图。

分析比较CMOS工艺中LOCOS和STI两种隔离技术的各自特点。

问答题分析比较CMOS工艺中LOCOS和STI两种隔离技术的各自特点。

在VLSI中，为什么要采用Cu互连及多层金属化技术？

问答题在VLSI中，为什么要采用Cu互连及多层金属化技术？