多项选择题
A.电弧放电 B.异常放电 C.汤森放电 D.正常放电
化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜的方法有（）。A.热丝化学气相沉积制备多晶硅B.低压化学气相沉积制备多晶硅C.非...
多项选择题化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜的方法有（）。
A.热丝化学气相沉积制备多晶硅B.低压化学气相沉积制备多晶硅C.非晶硅晶化制备多晶硅薄膜D.等离子增强化学气相沉积
关于D/A界面说法正确的是（）。A.具有大电子亲和能（EA）的材料被称为作电子受主，相当于无机半导体中的P型材...
多项选择题关于D/A界面说法正确的是（）。
A.具有大电子亲和能（EA）的材料被称为作电子受主，相当于无机半导体中的P型材料B.电离电势（IP）较小的材料被称为电子施主，相当于无机半导体中的N型材料C.D/A界面处D型材料和A型材料存在能级差D.类似于无机太阳电池中的PN结
关于光致衰减效应说法正确的是（）。A.铸造多晶硅没有光致衰减B.在长期辐照下，其光电导和暗电导同时下降，导致光...
单项选择题关于光致衰减效应说法正确的是（）。
A.铸造多晶硅没有光致衰减B.在长期辐照下，其光电导和暗电导同时下降，导致光电转换效率降低C.简称S-W效应D.在150～200℃热处理又可以恢复原来的状态
