问答题
快速热处理是在非常短的时间内，将单个硅片加热至400~1300摄氏度范围内的一种方法。优点：减小热预算。硅中......
(↓↓↓ 点击下方‘点击查看答案’看完整答案 ↓↓↓)
简述立式炉系统的五部分。
问答题简述立式炉系统的五部分。
压力对氧化物生长的影响是什么？
问答题压力对氧化物生长的影响是什么？
解释晶体晶向对氧化物生长的影响。
问答题解释晶体晶向对氧化物生长的影响。
