单项选择题
A.800℃ B.1410℃ C.2200℃ D.1200℃
电磁铸锭法说法错误的是()。A.熔体与坩埚不直接接触B.硅锭中晶粒较细小C.电磁力对硅熔体的作用,可能使硅熔体...
单项选择题电磁铸锭法说法错误的是()。
A.熔体与坩埚不直接接触B.硅锭中晶粒较细小C.电磁力对硅熔体的作用,可能使硅熔体中掺杂剂的分布更为均匀D.较少晶体缺陷
单晶硅片的电阻率一般控制在()。A.2~4·cm左右B.1~3·cm左右C.0.5~2·cm左右D.0.1~0...
单项选择题单晶硅片的电阻率一般控制在()。
A.2~4·cm左右 B.1~3·cm左右 C.0.5~2·cm左右 D.0.1~0.3·cm左右
SiH4不能采用精馏技术进行提纯。
判断题SiH4不能采用精馏技术进行提纯。