‌对于硅锗半导体，若其体内某处的电场从1×10⁵V/cm降低至1×10³V/cm，则其电子迁移率将（）。

‌空穴的扩散电流的方向，与（）相反。A.空穴扩散的方向B.空穴浓度梯度方向C.空穴浓度逆梯度方向D.电场方向

单项选择题‌空穴的扩散电流的方向，与（）相反。

金属-绝缘层-p型半导体构成的理想MIS结构，当在半导体上施加一个相对于金属的负电压时，则表面势Vs为（）。A...

单项选择题金属-绝缘层-p型半导体构成的理想MIS结构，当在半导体上施加一个相对于金属的负电压时，则表面势V_s为（）。

若不考虑镜像力和隧道效应，则金属半导体接触的势垒高度将（），反向电流将（）。A.降低；降低B.降低；升高C.升...

单项选择题若不考虑镜像力和隧道效应，则金属半导体接触的势垒高度将（），反向电流将（）。