单项选择题
A.铜 B.铝 C.金 D.二氧化硅
下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。A.CF4B.BCl3C.Cl2D.F2E.CHF3
多项选择题下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。
A.CF4 B.BCl3 C.Cl2 D.F2 E.CHF3
为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残...
单项选择题为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。
A.多晶硅 B.单晶硅 C.铝硅铜合金 D.铜
铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。A.等离子体刻蚀B.反应离子...
单项选择题铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。
A.等离子体刻蚀 B.反应离子刻蚀 C.湿法刻蚀 D.溅射刻蚀
